受中国高等科学技术中心(CCAST)委托，由中科院物理所承办的“磁电阻效应物理学”国际研讨班(International Workshop on Physics of Magneto resistance Effects)于2001年8月27—31日在物理所召开。
    在本领域具有国际影响的磁电阻效应发现者德国科学家P.Grunberg 教授和室温效应的发现者日本科学家T.Miyazak 教授以及国内外100余位代表出席并参加了本次研讨班，其中包括中国高等科学技术中心资助的全免费的25名来自全国各地的研究生。我国两岸三地(包括台湾、香港地区)和德国、日本、美国、英国的20多位科学家作了口头报告。
    各种磁电效应，如金属多层膜的巨磁电阻(GMR)效应，隧道磁电阻(TMR)效应和氧化物中的庞磁电阻(CMR)效应，近年来引起广泛的兴趣。具有强磁性的导体即所谓磁性导体，包括人工纳米结构磁多层膜、超晶格、颗粒体以及磁性半导体、磁性半金属、氧化物等。他们的电导行为依赖于传导电子自旋磁矩和局域磁原子磁矩之间的相对取向。在各种磁电阻效应中，电子的电荷和自旋同等重要，这与半导体中的电子输运行为完全不同。新颖的物理现象立即转化为重要应用。在1998年发现的GMR效应的推动下，仅仅十年硬盘存储密度就立即上升了100倍；基于1994年发现的室温隧道磁电阻(TMR)效应，2000年Motorola 和IBM公司制成磁随机存储器(MRAM)商品化原型，诞生了磁性芯片。
    参加本次研讨班的两岸三地科学家与各国科学家一起，深入讨论了国际前沿和未来的问题。例如，铁磁和反铁磁之间交换偏置现象及自选组态、在铁磁/半导体和铁磁/超导体界面上自旋注入的理论及试验、自旋Hall效应的现实、极化自旋电流基本物理量的测量、纳米磁性薄膜的表征、强关联电子自旋极化输运过程以及氧化物中的自旋、电荷、轨道有序等。
    这次研讨班得到中科院物质基地、物理所凝聚态物理中心、三环高科技公司及中国高等科学技术中心的资助。(物理所供稿)