传统微电子技术正迈向纳米尺度，在制作方法和引进新的器件功能方面将会有革命性的突破。在信息技术、数字处理和储存等关键技术的推新和突飞猛进的同时，急需走在前列的是寻找新功能材料和发现新的物理现象。在纳米尺度下，电子及其磁自旋的量子特性在控制材料特征和器件响应方面起主导作用。在过去的十几年里，一些新的发现为技术革新铺平了道路，如巨磁阻现象在纳米结构的金属膜中被发现导致了磁数据储存器的技术革命等。7月22日下午，在中科院研究生院中关村教学园区S201教室，该方面的专家王建青教授作了题为“纳米电子线路中加入的隐自由度：自旋电子行为”的报告，这是“李政道讲座”系列报告中的第九场报告。这场报告对于同学们及时了解自旋电子学这门新的学科、开阔学术视野、拓宽科研思路有极大的帮助。

    王教授首先介绍了纳米结构中的巨磁阻现象，这是由纳米尺度的磁结构引起的，是由带自旋的电子在通过界面时所经历的自旋相关散射在纳米尺度下的反映。在有外加磁场的情况下，散射强度和界面附近的局域磁状态有密切关联。巨磁阻和局域磁状态随条件的改变是直接相关的。随后，王教授介绍另一类功能结构，磁隧道结。这两类功能结构材料的共同特性是对磁场的敏感度，这一特性使得下一代计算机的关键元件——永久性动态随机存储器的发展成为可能。王教授最后介绍了一些新的研究结果，如在三五族半导体里发现的自旋输运和超常自旋寿命等，这些新结果的发现为下一代功能纳米电子器件(如量子计算、记忆或贮存等)的发展铺平了道路。王教授的报告内容丰富，列举了大量的实验结果，同学们感觉收获很大。 据悉，王建青教授曾就读于国防科技大学，是CUSPEA第一届成员，1981年赴美国伯克利加州大学攻读。目前就职于美国纽约州立大学(宾汉敦)。