第十三届半导体绝缘体材料国际会议(SIMC-XIII 2004)于9月20至25日在中国北京友谊宾馆举行。国际半导体绝缘体会议始于上个世纪八十年代初的英国诺丁汉，每两年召开一次，此次会议是首次在中国举办，由王占国院士担任会议主席。

    国际半导体绝缘体会议旨在为从事化合物半导体材料和纳米材料与技术及其相关器件等应用的科学家和工业界的工程技术人员提供一个充分交流的舞台。会议在一直保持着针对用于电子、光电子器件与电路的材料中存在的基本问题进行广泛、深入讨论的特征的同时，也为与会者提供一个对近年来迅速发展的纳米半导体材料与技术进行友好交流的广阔平台。

    出席此次会议的有来自德国、美国、英国、荷兰、日本、澳大利亚、冰岛、南非、中国(包括台湾)等国家一百余名国内外代表，其中包括约四十余名海外地区代表，会议安排了15个邀请报告，39个口头报告，48个墙报，成为该系列国际会议中规模较大的一次。与会代表就半绝缘Ⅲ-Ⅴ族材料、非化学配比Ⅲ-Ⅴ族材料、窄带隙氮化物、宽带隙材料、纳米材料和技术、新型材料、以及基于上述材料的器件进行了学术交流和讨论。

    第十三届半导体绝缘体材料国际会议是半导体所自1992年以来独立承办的规模较大的国际会议，对于促进我国与国际半导体材料学术界交流、扩大半导体所在国际半导体材料研究领域的影响具有非常重要的意义。此次会议还得到了国家自然科学基金委员会、海洋之神8590vip以及各个大学和公司的大力支持。