4月15日，应田明亮研究员邀请，台湾成功大学黄荣俊教授一行访问了强磁场科学中心，并作了题为“Bi₂Te₃/Bi₂Se₃ 拓扑绝缘体膜和多层膜的外延生长及其在自旋电子器件的应用”的学术报告。

拓扑绝缘体研究是近几年物理和材料科学研究的热点和前沿。由于该体系具有强烈的自旋轨道耦合相互作用，其表面存在着受时间反演对称性保护的表面态，不仅具有无质量Dirac费米子的特征，而且其表面态电子的动量和自旋耦合在一起，具有手性特性。黄教授深入浅出地介绍了拓扑绝缘体的特性，并以其研究组的实验工作为依托，重点介绍了拓扑绝缘体Bi₂Se₃、Bi₂Te₃薄膜以及Bi₂Te₃/Bi₂Se₃超晶格的分子束外延（MBE）生长，以及拓扑绝缘体在自旋电子学、热电材料和太阳能电池方面的应用研究。

报告激发了与会老师与学生的广泛兴趣，并探讨了未来双方在拓扑绝缘体材料等方面开展在强磁场下输运特性研究的合作事宜。

黄荣俊教授1985年于台湾大学物理系获学士学位；1992年于美国伊利诺伊大学厄本纳-香槟分校（UIUC）物理系获博士学位。现任台湾成功大学物理系教授及台湾物理学会理事长。他从事自旋电子学薄膜与纳米结构材料以及相关磁性与光电器件的研究工作超过20年，研究涉及磁性金属、稀磁半导体、自旋零禁带半导体、拓扑绝缘体、多铁性材料、有机光电材料与器件、磁性隧道结、自旋发光二极管、磁性随机存储器、磁性发光二极管等领域。20年来承担台湾国科会各类研究项目近40项（其中包括3项台湾奈米国家型计划，类似于973计划），研究经费超过1亿元新台币，已发表学术论文130余篇，合著（译）专著3本，获得授权台湾发明专利2项。

黄荣俊教授作报告