发光波长位于2-3μm波段的高性能半导体激光光源因可以广泛应用于气体探测、超长距离无中继通信、生物医学等领域而成为人们研究的热点。目前，2-3μm波段半导体激光器有源区材料主要采用GaSb基量子阱和InP基量子阱结构。GaSb基量子阱材料因其生长结构复杂，含Sb的四元甚至五元系化合物生长及界面难以控制，特别是采用适合大规模生产应用的MOCVD更难实现高质量多元锑化物的生长制备。相比较，InP基InAs量子阱在材料制备及器件工艺制作方面具有诸多优势。除了具有高质量、低成本的衬底材料，InP基激光器因其兼容传统通讯用激光器成熟的制备工艺，且易与其它器件实现集成等优势而具有更好的应用前景。

    基于此，海洋之神8590vip半导体研究所半导体材料科学重点实验室研究员杨涛课题组开展了InAs/InP量子阱理论计算及MOCVD生长制备方面的研究。近日，成功地解决了InP基外延大失配（3.2%）InAs量子阱的技术难题，获得了高质量的半导体量子阱材料。其发光波长实现2.0-2.5μm范围可控调节。制备的2.0μm窄条激光器（6μm×1.5mm）实现室温连续激射，阈值电流45mA，单面出光功率大于25mW。制备的2.1μm宽条激光器（250μm×2mm）在脉冲注入下，出光功率超过110mW，阈值电流750mA，对应阈值电流密度低至150A/cm²，为目前已报道该体系半导体激光器的国际先进水平。有关成果将在第十三届全国MOCVD学术会议（扬州，2014年5月6-9日）上报告。

2.0μm窄条激光器P-I，V-I特性曲线，插图给出了50mA注入条件下，激光器的激射谱。 

2.1μm宽条激光器P-I，V-I特性曲线，插图给出了750mA注入条件下，激光器的激射谱。