7月24日至28日，由中国半导体行业协会主办的“2012’全国半导体器件技术、产业发展研讨会”在青海省西宁市召开。该会议自2007年起，已成功举办过五届。作为知名的全国半导体会议，形成了以我国半导体器件研究、开发和产、学、研单位为主的产业交流平台。此次会议主题包括：半导体分立器件创新产品、创新技术；微电子机械系统（MEMS）和传感器；宽禁带半导体材料和器件；半导体探测器、半导体激光器、半导体照明、半导体光伏，以及配套的电子器件和部件；半导体分立器件产业发展思路；半导体分立器件应用和市场分析等。而宽禁带半导体功率器件是本次会议最为关注的焦点。

由中科院苏州纳米技术与纳米仿生研究所纳米加工平台蔡勇研究员指导的3项研究成果在本次会议上以口头报告方式与国内学术同行做了交流。

董志华博士后在《402V/5.3A常关型Si衬底AlGaN/GaN功率开关器件》报告中首次向学术界报告了苏州纳米所在Si衬底AlGaN/GaN大功率器件研究方面的突破性进展，该项研究不仅验证了GaN功率器件的设计及工艺技术的可行性，还展示了特有的栅输入动态范围扩展能力。

博士研究生于国浩在题为《关态耐压1000V的AlGaN/GaN HEMT器件》的报告中，提出了一种新颖的悬浮场板器件终端结构，通过悬浮场板实现了对栅边缘靠近漏端的峰值电场的动态抑制，明显提高了器件的击穿电压。

这两篇报告文章引起了参会代表的极大关注和好评，被评选为本次会议的优秀论文奖，这也体现出纳米加工平台的综合科研实力得到了国内同行的认可。