9月19日上午，在上海召开的第31届国际红外毫米波和太赫兹会议举行颁奖仪式，大会将本年度世界电磁波科学界最高奖“巴顿奖(Button)”授予中科院院士、中科院上海技术物理研究所研究员沈学础。

    沈学础院士是因“在红外凝聚态物理，尤其在红外半导体和光谱领域作出的杰出贡献”，而摘得今年世界电波科学领域最高奖的。

    该奖由英国皇家科学院组织评审与颁发，通常每年只奖给一位在红外线及毫米波研究领域作出原创性贡献的杰出科学家，被誉为该领域的“诺贝尔奖”。自奖项设立以来，全球范围内的获奖者仅十余人。我国科学家刘盛纲院士曾获此殊荣。

    作为我国著名红外物理学家，沈学础主要从事固体光谐和固体光谱实验方法等方面的科学研究，并取得多项重要成果。他提出并首先实现光调制共振激发谱、高压下调制光谱、带间跃迂增强与诱发回旋共振，使一些弱固体光谱现象观测成为可能。

    他还发观半导体晶体中新一类局域化振动模，发展了固体中杂质振动的理论；发现半磁半导体中d电子和p电子态间杂化，首次测定塞曼杂化态波函数的混合与重组，将固体中 微观态杂化混合的实验与理论研究推进到新高 度；最先观测到和测定GaAs调制掺杂多层结构的量子化能级，实验揭示了这种结构可形成超晶格和量子阱；将硅光热电离光谱灵敏度提高l到2个数量级，成为目前超纯材料浅杂质研究检测的最主要方法，发现硅中两个新施主中心和16条与 杂质高激发态相关的新谱线，提高了固体中杂质电子态研究水平。关于InGaAs/GaAs 中两类超晶格电子态共存、nipi结构光生载流子的长寿命等发现也有重要定义。

    沈学础院士已发表研究论文200余篇(被国外引用400多次)，著有“半导体光学性质”一书，获国家自然科学奖、中科院自然科学一等奖等多种重要科技奖励，并已培养博士研究生2O名。