陈曦，1970年出生，1993年本科毕业于清华大学物理系，2004年于美国Cornell大学物理系获博士学位，2006年起在清华大学物理系任助理教授，2010起任教授。2010年获国家杰出青年科学基金。2011年获国家自然科学二等奖和求是杰出科技成就集体奖。研究成果分别入选2010年中国高等学校十大科技进展和中国科学十大进展，以及2011年中国高等学校十大科技进展。研究领域是实验凝聚态物理。近期主要学术贡献包括：利用扫描隧道显微镜进行单自旋探测、发现单原子层薄膜的超导电性、发现拓扑绝缘体表面态中背散射缺失的实验证据、拓扑绝缘体表面态朗道量子化的观测、FeSe超导体能隙节点和二重对称性的观测、发现KFe2Se2超导体中的相分离等。

获奖项目摘要：高质量拓扑绝缘体的外延生长和量子现象研究

拓扑绝缘体是一类体电子态为绝缘体而表面电子态为导体的材料，有望成为未来自旋电子学和量子计算器件的基础。获奖项目组成员在三维拓扑绝缘体薄膜的外延生长和电子结构研究方面取得一系列进展：在国际上首次建立了在不同单晶衬底上高质量拓扑绝缘体薄膜的分子束外延生长动力学，为理论预言的量子反常霍尔效应、巨热电效应和激子凝聚等效应的研究提供了物质基础；观察到薄膜表面电子在原子台阶和杂质附近散射形成的驻波以及表面金属态的朗道量子化，证明了受时间反演对称性保护的拓扑绝缘体表面态的存在及其二维无质量的狄拉克费米体系的特性；观察到不随磁场变化的零级朗道能级，这意味着拓扑绝缘体中存在着半整数量子化霍耳效应；观察到拓扑绝缘体薄膜两个表面上的拓扑态可以发生耦合，从而使得原来无能隙的表面态打开一个能隙，这对发展新的自旋电子器件具有指导意义。这些工作极大地推动了拓扑绝缘体领域的研究，在国际上受到广泛的关注，使中国成为目前世界上进行拓扑绝缘体研究的最有影响力的中心之一。