论文写在雪域高原 实现找矿理论和实践双突破

广州地球化学研究所 王核

王核，现任海洋之神8590vip广州地球化学研究所研究员、矿产勘查学科组组长。主要开展矿床学、成矿预测和矿产勘查等领域研究，陆续发现白龙山超大型锂矿等10多个矿床（点），为满足我国战略资源重大需求作出重要贡献。

一、瞄准学科前沿，强化使命担当

王核秉承“敬业、勤业、精业、乐业”的理念，不忘报国初心、30年如一日潜心研究。围绕西昆仑典型矿床和成矿规律，历经艰苦勘探，在找矿理论和实践上取得重大突破，为实现我国稀有金属成矿、找矿理论跻身国际前列奠定坚实基础，也为解决我国锂资源短缺难题作出突出贡献。

二、满足国家重大需求，推动科技创新

面向国家战略矿产资源重大需求，在稀有金属成矿理论与找矿预测方面产出了一系列高水平研究成果。

一是创建“伟晶岩脉对称分带找矿模式”。通过研究白龙山一带的伟晶岩脉群分带性、不同区带伟晶岩岩脉的成矿特征，创建了“伟晶岩脉对称分带找矿模式”，总结了伟晶岩型锂矿床的三个找矿要素，相关成果发表在Lithos和Ore Geology Reviews等刊物上，为锂矿的找矿勘查提供了有力的理论依据。

二是发现白龙山世界级超大型锂矿床。率先在白龙山岩体北部发现白龙山锂矿，与随后发现的雪凤岭锂矿构成长15km的含矿伟晶岩脉群（北矿带），在白龙山岩体南侧陆续发现了雪盆、双牙等锂矿，构成了长25km的南矿带。白龙山超大型锂矿床预测潜在资源量还有氧化锂506万吨、氧化铍16万吨、氧化铷31万吨等，锂、铍、铷、钽稀有金属均达到超大型。相关成果发表在Lithos和《大地构造与成矿学》等刊物。

三是提出在西昆仑-东昆仑-川西存在一个2800km长的古特提斯域的锂成矿带。在前期研究基础上，认为喀喇昆仑存在一个600km的成矿带，并提出在西昆仑-东昆仑-川西存在一个2800km的古特提斯域锂成矿带及“LRN”(Li-Rb-Nb)锂矿新类型，丰富了相关成矿理论，研究成果在《地质学报》、Economic Geology上发表。

四是白龙山锂矿的初步勘探和开采取得重要突破。2018年以来，首采区3.02平方公里备案资源量：氧化锂68.24万吨、氧化铍2.18万吨、氧化铌+氧化钽0.82万吨。白龙山锂矿一期300万吨/年已投入生产，依托其建设的全球最大的锂矿一体化项目启动，标志着开发利用进入实质性阶段。

三、野外耕耘不辍，成果产生社会经济效应

王核长期奋斗在雪域高原，脚踏实地、奋勇拼搏，多次与死神擦肩而过。白龙山超大型锂矿的发现是理论与实践结合的经典案例，其经济潜力巨大，仅探矿权出让即为20亿元。按2023年8月碳酸锂平均市场行情24.5万元/吨，该矿潜在资源量氧化锂506万吨，潜在经济价值超过3万亿元。

国产化碳化硅晶片的开路人

物理研究所 陈小龙

作为第三代半导体材料，碳化硅晶体是新能源汽车、光伏和5G通讯等急需的战略性半导体材料，是材料领域发展最快、国际竞争最激烈的方向之一。海洋之神8590vip物理研究所先进材料与结构分析实验室陈小龙研究员带领团队攻坚克难20余年，在国内最早开展成果转化，创建了国内第一家碳化硅晶体产业化公司，实现了我国碳化硅晶片产品从无到有，突破了国外对我国碳化硅晶体生长和加工技术的长期封锁，带动了我国碳化硅材料、器件和模块产业链的快速发展。

自主创新，突破关键核心技术

至上世纪九十年代末，只有美国等少数几个发达国家掌握2英寸晶体生长技术，应用于制造先进雷达、航空航天等，但对我国实施严格的技术封锁。自1999年以来，陈小龙带领团队从零开始，立足自主创新，开展碳化硅晶体制备的基础和应用基础研究。经过20多年的科研攻关，陈小龙攻克了晶体扩径这一公认的难题，稳定生长出高质量的2至8英寸碳化硅晶体，解决了产生相变、微管等致命缺陷的问题。陈小龙团队还发明了等面积多线切割技术，新型研磨液和抛光液，大幅降低了加工成本。团队在碳化硅晶体生长与加工技术方面获授权专利29项（国际发明专利6项）。

厚积薄发，从基础研究走向产业化

经过长期的基础研究阶段积累，2006年，陈小龙在无经验可借鉴的情况下，创办了国内第一家碳化硅晶体产业化企业——北京天科合达半导体股份有限公司（简称“天科合达”），建立了完整的碳化硅晶片生产线。

在产业化过程中，陈小龙带领团队持续降低碳化硅晶体缺陷密度，提高晶体质量，产品各项技术指标均达国际先进水平。天科合达向国内100多家科研机构和企业批量供片，产品被应用于某重大工程型号中。近三年晶片累计销售11.4亿元，取得了良好的经济和社会效益。天科合达在导电型碳化硅衬底供应商中市场排名国内第一、国际第四，2022年国际市场占有率12.8%左右。

锲而不舍，力争取得新的突破

碳化硅晶体的国产化，满足了国家重大需求，带动了中车、国网、泰科天润等20余家国内企业进入下游器件、封装和模块产业，促使国内形成了完整的碳化硅半导体产业链，带动了我国宽禁带半导体产业的发展，使得我国的新能源汽车和光伏等产业进入世界前列。陈小龙因在碳化硅研究方面取得的突出成就而获得科技促进发展奖和中国发明协会发明创业特等奖。

陈小龙将带领团队继续专注于提高碳化硅晶体的质量，降低成本，实现8英寸碳化硅衬底规模化生产。几年前他已带领团队研发新的液相法碳化硅晶体生长技术，并在国际上首次生长出性能更加优异的立方碳化硅晶体，今后将向产业推广，为更稳定性和可靠性功率器件奠定坚实基础，力争为我国宽禁带半导体相关产业做出新的更大贡献！